ترانزستور التقاطع الثنائي القطب BJT هو أحد المكونات الأساسية للموصليات النصفية. له وظيفة تضخيم التيار وهو المكون الأساسي للدارات الإلكترونية.يتم صنع BJT على رصيف أشباه الموصلات مع اثنين من التقاطعات PN التي هي قريبة جدا من بعضها البعض.تقسيم المفاصل PN إلى ثلاثة أجزاء.الجزء الأوسط هو المنطقة الأساسية،والجانبين هما المنطقة الإصدارية ومنطقة الجمع.
خصائص BJT التي غالباً ما تكون ذات صلة في تصميم الدوائر تشمل عامل تضخيم التيار β، ICBO التيار العكسي بين الأقطاب الكهربائية، ICEO، ICM الحد الأقصى المسموح به في الجمع،الجهد العكسي للانفصال VEBO،VCBO،VCEO،وخصائص المدخلات والمخرجات من BJT.
ينعكس منحنى خصائص المدخلات والمخرجات BJT العلاقة بين الجهد والتيار لكل كهرباء من bjt. يستخدم لوصف منحنى خصائص التشغيل من bjt.تشمل المنحنيات المميزة المستخدمة عادةً من BJT المنحنيات المميزة للدخول والمنحنيات المميزة للخروج:
خصائص مدخل منحنى bjt تشير إلى أنه عندما يبقى الجهد Vce بين قطب E والقطب C دون تغيير، فإن العلاقة بين تيار المدخل (أيالتيار الأساسي IB) وجهد الدخول (أي، الجهد بين القاعدة والمنبع VBE) ؛ عندما VCE = 0، فإنه يعادل الدائرة القصيرة بين الجمع والمنبع، أييتم توصيل وصلة جهاز الإرسال و وصلة جهاز الجمع بالتوازيوبالتالي، فإن خصائص المدخلات من منحنى bjt هي مماثلة لخصائص فولت-امبير من تقاطع PN، ولها علاقة أساسية.المنحنى سوف يتحرك إلى اليمينبالنسبة للمترانزستورات ذات الطاقة المنخفضة ، يمكن أن يقترب منحنى خصائص المدخلات مع VcE أكبر من 1V من جميع خصائص مدخلات منحنيات bjt مع VcE أكبر من 1V.
تظهر خصائص الإخراج من منحنى bjt منحنى العلاقة بين الجهد الخارجي للترانزستور VCE والتيار الخارجي IC عندما يكون التيار الأساسي IB ثابت.وفقًا لخصائص انتاج منحنى bjtيتم تقسيم حالة عمل bjt إلى ثلاث مناطق. منطقة القطع: تشمل مجموعة من منحنيات العمل مع IB = 0 و IB < 0 (أي IB هو عكس الاتجاه الأصلي).عندما IB = 0،IC=Iceo (يسمى تيار التدخل)في هذه المنطقة،تتجه كلاً من تقاطعات PN للثلاثي،حتى لو كان الجهد VCE مرتفعًا، فإن التيار Ic في الأنابيب صغير جدًا.والأنبوب في هذا الوقت يعادل حالة دائرة مفتوحة من مفتاحمنطقة التشبع: قيمة الجهد VCE في هذه المنطقة صغيرة جدا، VBE> VCEالمفاصلين PN من ثلاثي كلاهما متحيز إلى الأمام،فإن وصلة الجمع تفقد القدرة على جمع الإلكترونات في منطقة معينة، ولم يعد يتم التحكم في IC بواسطة IB.والأنبوب يعادل حالة تشغيل مفتاح. المنطقة الموسعة: في هذه المنطقة ، يكون تقاطع المنبع من الترانزستور متحيزًا إلى الأمام والجمع متحيزًا عكسًا. عندما يتجاوز VEC فولتاجًا معينًا ، يكون المنحنى مسطحًا أساسًا.هذا لأن عندما يزداد فولتاج تقاطع الجمعمعظم التيار الذي يتدفق إلى القاعدة يتم سحبها من قبل الجمع، لذا عندما يستمر VCE في الزيادة، يتغير IC التيار قليلا جدا. بالإضافة إلى ذلك، عندما يتغير IB، يتغير IC نسبيا.هذا يعني، IC يتم التحكم بها من قبل IB،وتغيير IC أكبر بكثير من تغيير IB.△IC متناسب مع △IB.هناك علاقة خطية بينهما،لذا تسمى هذه المنطقة أيضا المنطقة الخطية.في دائرة التضخيم، يجب أن تستخدم الثلاثية للعمل في منطقة التضخيم.
وفقا للمواد والاستخدامات المختلفة، خصائص bjt مثل الجهد والمعايير التقنية الحالية من أجهزة bjt مختلفة أيضا.يوصى ببناء خطة اختبار مع اثنين من أجهزة قياس المصدر من سلسلة Sالجهد القصوى هو 300 فولت، الحد الأقصى من التيار هو 1A، والحد الأدنى من التيار هو 100pA، والتي يمكن أن تلبي طاقة صغيرةاختبار MOSFETالاحتياجات
بالنسبة لأجهزة الطاقة MOSFET ذات الحد الأقصى للتيار من 1A ~ 10A ، يوصى باستخدام اثنين من أجهزة قياس مصدر النبض من سلسلة P لبناء حل اختبار ،مع أقصى جهد من 300 فولت و أقصى تيار من 10A.
بالنسبة لأجهزة الطاقة MOSFET مع الحد الأقصى للتيار من 10A ~ 100A ، يوصى باستخدام مقياس مصدر النبض من سلسلة P + HCP لبناء حل اختبار.الحد الأقصى للتيار يصل إلى 100A والحد الأدنى للتيار يصل إلى 100pA.
يشير ICBO إلى تيار التسرب العكسي الذي يتدفق من خلال تقاطع الجمع عندما يكون مصدّر الثلاثي مفتوح الدائرة.IEBO يشير إلى التيار من جهاز الإرسال إلى القاعدة عندما يكون الجمع مفتوح الدائرةيوصى باستخدام مقياس مصدر من سلسلة Precise S أو P للاختبار.
يشير VEBO إلى الجهد العكسي للانفصال بين جهاز الإرسال والقاعدة عندما يكون الجمع مفتوحًا.يشير VCBO إلى الجهد التراجع العكسي بين الجمع والقاعدة عندما يكون المنبع مفتوحا،الذي يعتمد على انهيار الجليد في تقاطع الجمع ،جهد الانقطاع ،VCEO يشير إلى جهد الانقطاع العكسي بين الجمع والمنبع عندما تكون القاعدة مفتوحة ،ويعتمد على الاندفاع التراكمي لارتباطات الجمععند الاختبار،من الضروري اختيار الأداة المقابلة وفقا للمعلمات التقنية لجهد انقطاع الجهاز.وحدة قياس المصدرأو جهاز قياس مصدر النبضات من سلسلة P عندما يكون فولتاج التعطيل أقل من 300 فولت. يوصى بأقصى فولتاج هو 300 فولت، ويُنصح بالأجهزة التي يكون فولتاج التعطيل أعلى من 300 فولت. باستخدام سلسلة E،الجهد الأقصى 3500 فولت.
مثل أنابيب MOS ، bjt أيضاً تميز خصائص CV من خلال قياسات CV.
ترانزستور التقاطع الثنائي القطب BJT هو أحد المكونات الأساسية للموصليات النصفية. له وظيفة تضخيم التيار وهو المكون الأساسي للدارات الإلكترونية.يتم صنع BJT على رصيف أشباه الموصلات مع اثنين من التقاطعات PN التي هي قريبة جدا من بعضها البعض.تقسيم المفاصل PN إلى ثلاثة أجزاء.الجزء الأوسط هو المنطقة الأساسية،والجانبين هما المنطقة الإصدارية ومنطقة الجمع.
خصائص BJT التي غالباً ما تكون ذات صلة في تصميم الدوائر تشمل عامل تضخيم التيار β، ICBO التيار العكسي بين الأقطاب الكهربائية، ICEO، ICM الحد الأقصى المسموح به في الجمع،الجهد العكسي للانفصال VEBO،VCBO،VCEO،وخصائص المدخلات والمخرجات من BJT.
ينعكس منحنى خصائص المدخلات والمخرجات BJT العلاقة بين الجهد والتيار لكل كهرباء من bjt. يستخدم لوصف منحنى خصائص التشغيل من bjt.تشمل المنحنيات المميزة المستخدمة عادةً من BJT المنحنيات المميزة للدخول والمنحنيات المميزة للخروج:
خصائص مدخل منحنى bjt تشير إلى أنه عندما يبقى الجهد Vce بين قطب E والقطب C دون تغيير، فإن العلاقة بين تيار المدخل (أيالتيار الأساسي IB) وجهد الدخول (أي، الجهد بين القاعدة والمنبع VBE) ؛ عندما VCE = 0، فإنه يعادل الدائرة القصيرة بين الجمع والمنبع، أييتم توصيل وصلة جهاز الإرسال و وصلة جهاز الجمع بالتوازيوبالتالي، فإن خصائص المدخلات من منحنى bjt هي مماثلة لخصائص فولت-امبير من تقاطع PN، ولها علاقة أساسية.المنحنى سوف يتحرك إلى اليمينبالنسبة للمترانزستورات ذات الطاقة المنخفضة ، يمكن أن يقترب منحنى خصائص المدخلات مع VcE أكبر من 1V من جميع خصائص مدخلات منحنيات bjt مع VcE أكبر من 1V.
تظهر خصائص الإخراج من منحنى bjt منحنى العلاقة بين الجهد الخارجي للترانزستور VCE والتيار الخارجي IC عندما يكون التيار الأساسي IB ثابت.وفقًا لخصائص انتاج منحنى bjtيتم تقسيم حالة عمل bjt إلى ثلاث مناطق. منطقة القطع: تشمل مجموعة من منحنيات العمل مع IB = 0 و IB < 0 (أي IB هو عكس الاتجاه الأصلي).عندما IB = 0،IC=Iceo (يسمى تيار التدخل)في هذه المنطقة،تتجه كلاً من تقاطعات PN للثلاثي،حتى لو كان الجهد VCE مرتفعًا، فإن التيار Ic في الأنابيب صغير جدًا.والأنبوب في هذا الوقت يعادل حالة دائرة مفتوحة من مفتاحمنطقة التشبع: قيمة الجهد VCE في هذه المنطقة صغيرة جدا، VBE> VCEالمفاصلين PN من ثلاثي كلاهما متحيز إلى الأمام،فإن وصلة الجمع تفقد القدرة على جمع الإلكترونات في منطقة معينة، ولم يعد يتم التحكم في IC بواسطة IB.والأنبوب يعادل حالة تشغيل مفتاح. المنطقة الموسعة: في هذه المنطقة ، يكون تقاطع المنبع من الترانزستور متحيزًا إلى الأمام والجمع متحيزًا عكسًا. عندما يتجاوز VEC فولتاجًا معينًا ، يكون المنحنى مسطحًا أساسًا.هذا لأن عندما يزداد فولتاج تقاطع الجمعمعظم التيار الذي يتدفق إلى القاعدة يتم سحبها من قبل الجمع، لذا عندما يستمر VCE في الزيادة، يتغير IC التيار قليلا جدا. بالإضافة إلى ذلك، عندما يتغير IB، يتغير IC نسبيا.هذا يعني، IC يتم التحكم بها من قبل IB،وتغيير IC أكبر بكثير من تغيير IB.△IC متناسب مع △IB.هناك علاقة خطية بينهما،لذا تسمى هذه المنطقة أيضا المنطقة الخطية.في دائرة التضخيم، يجب أن تستخدم الثلاثية للعمل في منطقة التضخيم.
وفقا للمواد والاستخدامات المختلفة، خصائص bjt مثل الجهد والمعايير التقنية الحالية من أجهزة bjt مختلفة أيضا.يوصى ببناء خطة اختبار مع اثنين من أجهزة قياس المصدر من سلسلة Sالجهد القصوى هو 300 فولت، الحد الأقصى من التيار هو 1A، والحد الأدنى من التيار هو 100pA، والتي يمكن أن تلبي طاقة صغيرةاختبار MOSFETالاحتياجات
بالنسبة لأجهزة الطاقة MOSFET ذات الحد الأقصى للتيار من 1A ~ 10A ، يوصى باستخدام اثنين من أجهزة قياس مصدر النبض من سلسلة P لبناء حل اختبار ،مع أقصى جهد من 300 فولت و أقصى تيار من 10A.
بالنسبة لأجهزة الطاقة MOSFET مع الحد الأقصى للتيار من 10A ~ 100A ، يوصى باستخدام مقياس مصدر النبض من سلسلة P + HCP لبناء حل اختبار.الحد الأقصى للتيار يصل إلى 100A والحد الأدنى للتيار يصل إلى 100pA.
يشير ICBO إلى تيار التسرب العكسي الذي يتدفق من خلال تقاطع الجمع عندما يكون مصدّر الثلاثي مفتوح الدائرة.IEBO يشير إلى التيار من جهاز الإرسال إلى القاعدة عندما يكون الجمع مفتوح الدائرةيوصى باستخدام مقياس مصدر من سلسلة Precise S أو P للاختبار.
يشير VEBO إلى الجهد العكسي للانفصال بين جهاز الإرسال والقاعدة عندما يكون الجمع مفتوحًا.يشير VCBO إلى الجهد التراجع العكسي بين الجمع والقاعدة عندما يكون المنبع مفتوحا،الذي يعتمد على انهيار الجليد في تقاطع الجمع ،جهد الانقطاع ،VCEO يشير إلى جهد الانقطاع العكسي بين الجمع والمنبع عندما تكون القاعدة مفتوحة ،ويعتمد على الاندفاع التراكمي لارتباطات الجمععند الاختبار،من الضروري اختيار الأداة المقابلة وفقا للمعلمات التقنية لجهد انقطاع الجهاز.وحدة قياس المصدرأو جهاز قياس مصدر النبضات من سلسلة P عندما يكون فولتاج التعطيل أقل من 300 فولت. يوصى بأقصى فولتاج هو 300 فولت، ويُنصح بالأجهزة التي يكون فولتاج التعطيل أعلى من 300 فولت. باستخدام سلسلة E،الجهد الأقصى 3500 فولت.
مثل أنابيب MOS ، bjt أيضاً تميز خصائص CV من خلال قياسات CV.
